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做和名词解释CVD化学气相沉积

发布时间:2021-09-21 21:06:56 阅读: 来源:灯盘厂家

名词解释:CVD(化学气相沉积)

CVD是一种以气体状态向反应避免老鼠钻进去槽供应带千分表调零后蒸气压的材料,然后添加某种能量使其分解反应,在底板表面沉积薄膜的技术(图1)。

热CVD通过利用热量分解原料气体而成膜。比如,热分解硅烷(SiH4)后,形成多晶硅。这时如果在氧气气氛条件下使其分解,可形成二氧化硅(SiO2)。

普通的热CVD在气体供给量较多及较少的场所,厚度不均一。如果采用名为减压CVD(LPCVD)的方法,分子的平均自由行程会延长,分子容易扩散,可提高膜厚的均一性。

如果采用射频能量代替热能量,在低温条件下便可成膜。人们将这种技术称为等离子CVD。该技术通过在与底板相对的电极上施加射频,使其放电分解原料气体,然后成膜。

钨的选择CVD

W(钨)的选择CVD经常用于半导体工艺领域,也有且高附加值产品比例在提高用于MEMS方面的先例。

通过在硅底板的氧化膜表面上添加氮化硅,利用RIE形成沟槽。在上面离子注入硅,除去氮化硅,然后在沟底的SiO2表面注入Si。如果在这种状态下,利定期更换吸油过滤器和滤芯用六氟化钨(WF6)气体进行CVD,硅会起到催化剂作用,发生表面反应,使钨沉积。

钨从沟槽底部开始沉积,只有在沟槽中钨会被选择性填埋。最后通过除去SiO2,可制成由钨形成的结构体。美国康奈尔(Cornell)大学采用该技术,试制出了制造钨的电子束源及静电透镜的MEMS电子枪。

表面被覆性较高

如果在活性粒子吸附在表面,进行薄膜制造的条件下采用CVD,则可完好覆盖凹凸及沟槽等立体结构的表面。

比如,在底板上打孔,利用贯通布线将金属膜铺至底板的里侧时,如果采用CVD,即使底板表面高低不平,也可将其表面覆盖,从而连接布线。 (end)

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